本發明提供一種高壓LED芯片深刻蝕工藝,包括以下步驟:(1)選取外延片,首先進行MESA制程,制作出所需要的圖形;(2)進行掩膜SiO2層的沉積,同時對非腐蝕區域進行保護,然后CUT黃光制程;(3)浸泡BOE溶液,在室溫條件下濕法蝕刻待刻蝕走道的掩膜硅,再進行ICP干法刻蝕;(4)去除光刻膠,之后在進行180℃下浸泡自制襯底腐蝕液下腐蝕3~5min對刻蝕走道以及側壁進行化學濕法修飾;(5)高溫腐蝕結束后沖水洗凈,再于室溫條件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干;(6)掩膜硅去除后,再進行后續的P硅、ITO、PN、鈍化硅光刻,金屬熔合后完成點測。本發明使芯片刻蝕走道與側壁平整度明顯提高,可以減少HV芯片產品的漏電風險,提高HV芯片產品的電性品位。
聲明:
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