本發明公開一種基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件,包括單晶基底、薄膜熱敏元件、金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ、導線Ⅰ、導線Ⅱ,薄膜熱敏元件在單晶基底上沿c軸外延生長,在薄膜熱敏元件上表面依次設置有等距排列的金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ,金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅳ通過導線Ⅰ連接恒流源輸出端,金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ通過導線Ⅱ連接電壓表輸入端,薄膜熱敏元件為層狀鈷氧化物薄膜;本發明測溫元件在0℃~?200℃下電阻溫度系數大,電阻溫度關系線性好,物理化學性能穩定、成本低廉。
聲明:
“基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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