本說明書提供一種硅漂移探測器的制備方法,包括沉積步驟;所述沉積步驟包括:以四氟化鍺、高階硅烷和摻雜劑硅烷作為反應氣體,采用化學氣相沉積工藝在具有鈍化膜的硅襯底上沉積重摻雜鍺薄膜,使重摻雜鍺薄膜在硅襯底的對應區域形成功能區。因為高階硅烷能夠在較低溫情況下被激活而與四氟化鍺反應,所以在鍺薄膜形成過程中可以采用低溫工藝,而低溫工藝可以避免擴散工藝和離散注入工藝中的高溫對硅襯底的損傷,有利于獲得較高的體壽命,提高硅漂移探測器的能量分辨率。
聲明:
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