本發明公開了一種硒化銻自驅動薄膜光電探測器的制備方法,方法包括步驟:提供鍍鉬玻璃襯底;在鍍鉬玻璃襯底上磁控濺射Sb前驅體膜,對Sb前驅體膜進行硒化處理,得到Sb2Se3薄膜;采用化學水浴法在Sb2Se3薄膜上沉積CdS緩沖層;采用溶液旋涂和熱處理向CdS緩沖層中引入Al3+,得到Al3+摻雜的CdS緩沖層;在Al3+摻雜的CdS緩沖層上磁控濺射沉積ITO窗口層,熱蒸發Ag電極,得到硒化銻自驅動薄膜光電探測器。本發明采用磁控濺射法和硒化處理自組裝生長Sb2Se3薄膜,能明顯降低Sb2Se3薄膜的深能級缺陷密度,減少光生載流子復合;Al3+摻雜能降低界面缺陷密度、增加耗盡層寬度以及優化p?n結界面能帶排列,本發明制得的Sb2Se3自驅動薄膜光電探測器能實現無外加偏壓自驅動工作,響應度和探測度大幅提升。
聲明:
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