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三維雙面硅微條探測器及其制備方法

780   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 07:27:48
本發明公開了一種三維雙面硅微條探測器及其制備方法,包括上部探測單元、下部探測單元和中間半導體基體,上部探測單元的上溝槽電極內均勻嵌有多個相互平行的上半導體基體,上半導體基體內嵌有上中央電極;下部探測單元的下溝槽電極內均勻嵌有多個相互平行的下硅基體,下硅基體內嵌有下中央電極;上半導體基體、上溝槽電極、上中央電極、下硅基體、下溝槽電極和下中央電極高度均相等;下部探測單元位于上部探測單元正下方,且兩者在水平方向錯開一定角度。通過吸雜氧化工藝在硅晶圓表面生成二氧化硅層,然后經標記與光刻將探測器圖形轉移到二氧化硅層上,再進行陰極電極和陽極電極的刻蝕和化學沉積擴散,最后進行損傷修復及封裝。
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“三維雙面硅微條探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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