本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工藝,光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬薄膜以及襯底;電極結構為電極、主支、分支三部分,相鄰主支之間和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小,起到并聯二硫化鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉積(CVD)的方法,硅片作為襯底,MoO3粉末作為鉬源,硫粉作為硫源,通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度,制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬薄膜,對設備要求低,實驗過程簡單方便、重復性高。
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