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半導體廢硅泥的二氧化硅再生方法

795   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 04:41:32
本發明公開了一種半導體廢硅泥的二氧化硅再生方法,其方法如下:將廢硅泥進行第一次干燥,干燥條件為150~300℃,干燥時間為1~3小時,得硅泥固體;將所得的硅泥固體置入第一攪拌裝置內,并加入第一浸漬溶液進行第一次攪拌;將所得之物進行第一次過濾及清洗;將所得之物進行第二次干燥;將所得之物置入第二攪拌裝置中進行純化,并加入第二浸漬溶液進行第二次攪拌;將所得之物進行第二次過濾及清洗;將所得之物進行第三次干燥;將所得之物進行研磨,使顆粒通過100mesh篩網,剩余顆粒大于100mesh的固體則繼續研磨,即可得到粒度均勻且二氧化硅含量大于90%的粉體。
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