本發明涉及{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備及應用,以鈦板為鈦源,以氫氟酸為封端劑,通過水熱方法在鈦基底上原位生長TiO2花狀微球結構,其{001}晶面暴露比為0%~100%,制備得到的{001}TiO2/Ti光電極可以應用在鄰苯二甲酸二甲酯廢水光電催化氧化降解中。與現有技術相比,本發明制備的{001}晶面可控暴露的{001}TiO2/Ti光電極具有高效的光電催化性能(光電流密度最高達到0.74mA/cm2),在8小時內對濃度為5mg/L的鄰苯二甲酸二甲酯去除率最高可達到94.3%。這一電極材料和技術適用于鄰苯二甲酸酯類污染物的光電催化降解領域。
聲明:
“{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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