本發明涉及一種喹啉降解菌及其培養方法和應用。所述菌株為惡臭假單胞菌(PSEUDOMONAS PUTIDA)KT-QL-116 CGMCC NO.2790,可以有效降解高濃度喹啉化合物,最高可利用濃度達到850MG/L,此外還可以利用苯、甲苯、二甲苯、苯酚等芳香族化合物。該菌株可以在焦化廢水中很好的生長,并且可以高效降解其中的喹啉,借此可開發出相應的環保生物制劑,顯示出很好的應用前景。
聲明:
“一株喹啉降解菌及其培養方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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