本發明公開了一種太陽能單晶硅電池的單面拋光工藝,其目的在于解決雙面拋光對單晶硅片減薄量過大,導致硅片過薄的問題;鏈式單面堿拋光拋光液反應難控制的問題;鏈式酸拋光污染大,廢水處理困難的問題。本發明包括前道工藝、背面拋光、絲網印刷與燒結三大步驟,具有拋光液無金屬離子污染、硅片減薄量低、無需刻蝕工藝、拋光液調整方便、設備成本低的優點。
聲明:
“太陽能單晶硅電池的單面拋光工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)