本發明公開一種納米球包圍的MoS2微米空心球結構半導體材料,包括MoS2微米級大球和MoS2納米級小球,納米小球均勻分散地生長在微米大球表面;其中,所述的MoS2微米大球是空心的薄球殼,納米小球則是洋蔥狀結構,由一層層的球殼嵌套而成,中心小部分是空心的。本發明還公開了納米球包圍的MoS2微米空心球結構半導體材料的制備方法,僅用一步水熱法制備出兩種直徑的MoS2球狀結構。本發明制備方法具有操作簡單,產物雜質少,制備成本低等優點。本發明材料在光催化工業廢水和場發射領域有極大發展潛力。
聲明:
“納米球包圍的MoS2微米空心球結構半導體材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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