本實(shí)用新型提供一種Split Gate?IGBT結構及器件,其中,Split Gate?IGBT結構,包括Split Gate結構、Trench Gate結構;所述Split Gate結構之間設有一個(gè)或多個(gè)Trench Gate結構。本實(shí)用新型提供的Split Gate?IGBT結構,通過(guò)在Split Gate結構中間設置一個(gè)或者多個(gè)Trench Gate結構,在擁有較快開(kāi)關(guān)速度的同時(shí),還可進(jìn)一步提高器件元胞密度,降低飽和壓降;同時(shí)方便通過(guò)控制Trench Gate的數量來(lái)優(yōu)化IGBT的開(kāi)關(guān)性能。本實(shí)用新型另外提供的器件,可廣泛應用于工業(yè)加熱、變頻器、照明電路、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。
聲明:
“Split Gate-IGBT結構及器件” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)