本發明涉及一種高硅含量的鋁基梯度電子封裝復合材料的制備方法,屬于鋁基粉末材料熱成形工藝。本發明解決了現有Al?Si電子封裝材料制備方法,無法實現封裝料梯度結構設計及近凈成形的不足。本發明通過粉末冶金結合多次裝料冷壓、分步熱壓等工藝制備的梯度結構電子封裝材料,具有成分梯度可以調控、成本低廉且具備精密成形的優點,可以在保障良好性能的同時大幅度降低后續的機加工變形量。本發明適用于Si質量含量從20%~75%的梯度鋁基電子封裝材料的制備,以及高性能電子封裝料坯材以及半成品的制備。
聲明:
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