存儲結構的電極、方法和設備

在一種電極裝置中，該電極裝置包括在各層中具 有電極(ε)的第一和第二薄膜電極層(L1，L2)，該電極為平行 條狀形式的電導體，提供僅由電絕緣材料的的薄膜(6)分開(kāi)的電 極(ε)，電絕緣材料的薄膜的厚度最多為電極寬度的一部分并 且至少沿其側邊延伸并在其間形成絕緣壁(6a)。電極層(L1，L2) 被平面化以獲得非常平的表面。在包括一個(gè)或多個(gè)電極裝置 (EM)的設備中，每個(gè)的電極層(L1，L2)以其各自的電極(1；2) 以一角度相交而相互取向，優(yōu)選正交，并整體提供功能介質(zhì)(3) 夾在其間，以便獲得優(yōu)選無(wú)源矩陣可尋址設備并將其用作例如 包括形式例如分別為邏輯單元或存儲單元的可獨立尋址功能 元件(5)的矩陣可尋址數據處理裝置或矩陣可尋址數據存儲裝 置，其在整體功能介質(zhì)(3)中的填充因數接近一并且該設備中單 元的最大數目約為A/f2，其中A 為夾在電極層(L1，L2)之間的整體功能介質(zhì)(3)的面積，而f是 受工藝約束的最小特征值。