三元階梯型異質(zhì)結半導體光催化劑制備方法

一種三元階梯型異質(zhì)結半導體光催化劑制備方法，涉及一種光催化劑制備方法，本發(fā)明為一種新型用于增強可見(jiàn)光光催化活性的Ag:ZnIn2S4/CdS/RGO三元階梯型異質(zhì)結的制備方法和條件，涉及光催化功能材料及其制備領(lǐng)域，將兩個(gè)光敏硫化物半導體在水熱條件下與RGO耦合形成穩定的三元異質(zhì)結，并獲得目標光催化劑。這種合理設計的三元異質(zhì)結光催化劑提高了可見(jiàn)光吸收率，產(chǎn)生了較大的表面積，暴露出足夠的催化活性位點(diǎn)。同時(shí)，異質(zhì)結構界面處的內置電勢梯度可以促進(jìn)電子?空穴對的分離，并降低其復合的機會(huì )。最終提高材料光催化產(chǎn)氫效率。