晶體生長(cháng)裝置

本申請提供一種晶體生長(cháng)裝置，涉及功能材料領(lǐng)域，包括爐體、籽晶桿、坩堝單元和加熱單元，坩堝單元與加熱單元均設于爐體內，加熱單元用于調節爐體內溫度；坩堝單元包括保溫罩、金屬坩堝、內層耐高溫坩堝、外層耐高溫坩堝和墊塊，金屬坩堝嵌設于內層耐高溫坩堝內，內層耐高溫坩堝嵌設于外層耐高溫坩堝內，墊塊支撐于內層耐高溫坩堝和外層耐高溫坩堝之間；保溫罩同時(shí)罩設于金屬坩堝、內層耐高溫坩堝、外層耐高溫坩堝的開(kāi)口側；保溫罩設有提拉孔，籽晶桿穿設于提拉孔內且與提拉孔活動(dòng)配合。運行時(shí)，該結構能夠減小晶體生長(cháng)過(guò)程中坩堝的形變量，坩堝不易被損壞，使用壽命長(cháng)，成本低。