窄帶隙二氧化錫半導體納米材料的制備方法

本發(fā)明屬功能材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種窄帶隙二氧化錫半導體納米材料的制備方法，向草酸水溶液中滴加氯化亞錫的甲醇溶液，在恒溫并且攪拌的條件下反應直到前驅物沉淀生成，過(guò)濾、水洗、干燥，然后在馬弗爐進(jìn)行熱處理即獲得窄帶隙二氧化錫半導體納米材料。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)便易行，純度高，雜質(zhì)含量低，產(chǎn)品制備成本低，性能優(yōu)異，可以工業(yè)化批量生產(chǎn)。本發(fā)明制備的目的產(chǎn)物窄帶隙二氧化錫半導體納米材料的禁帶寬度為2.4～2.6?eV，具有良好的導電、隔熱、透明，以及光催化等性能。