本發明公開了一種太陽能等級多晶硅的制備方法,采用3N級的金屬硅作為原料,在真空熔煉爐中通過造渣和定向凝固進行提純,將金屬硅提純到純度為99.9999%的太陽能級多晶硅。本發明通過真空熔煉,可將金屬硅中硼的含量從5ppm降低到0.5ppm,將磷的含量從15ppm降低到0.8ppm,金屬總量雜質從1000ppm降低到0.1ppm以下。本發明工藝流程短,耗電量小,而且無污染排放,可以大幅度地降低多晶硅生產的投資成本和生產成本,可進行大規模生產。
聲明:
“太陽能等級多晶硅的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)