本申請公開了一種多晶硅全熔鑄錠用坩堝及其制備方法和應用,屬于光伏技術領域。該多晶硅全熔鑄錠用坩堝的制備方法,包括下述步驟:1)將坩堝的內底部固定石英砂顆粒;2)將步驟1)制備的坩堝內底部噴涂第一脫膜層,坩堝內側壁噴涂第二脫膜層;所述第一脫膜層的厚度大于第二脫膜層的厚度。第一脫膜劑和第二脫膜劑均包含氮化硅。本申請的方法制備的坩堝即可以防止多晶硅的氧化,又可以防止多晶硅錠的粘鍋,坩堝底部的疏松粗糙表面提供了多種引晶方式,具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核,多種引晶并存縮短了多晶鑄錠的周期,多晶鑄錠的良率高。
聲明:
“多晶硅全熔鑄錠用坩堝及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)