本發明公開了一種基于多層量子阱結構的深低溫溫度傳感器及其制備方法,包括:由下至上依次設置的傳熱層,襯底層,帶有下電極的緩沖層,由多個量子阱周期組成的溫敏層,帶有上電極的接觸層;每個所述量子阱周期由多層不同厚度的Al0.15Ga0.85As和GaAs交替組成。本發明提供一種基于GaAs材料體系的多層量子阱結構,在深低溫環境下對電子在多層量子阱結構中的輸運過程進行精確控制,從而顯著提高本裝置在各個低溫區間的相對靈敏度;同時能夠依據不同低溫溫度區間的高精度溫度測量需要,對量子阱的多層結構進行靈活的生長裁剪,實現對不同低溫區間的高精度溫度測量。
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