鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法

本發(fā)明公開(kāi)的一種鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法，包括以下步驟：將ZrO2、Y2O3、Ti粉末進(jìn)行混粉處理，然后取出烘干得到混合粉末；將混合粉末進(jìn)行造粒壓樣得到成型樣品；將成型樣品進(jìn)行排膠燒結；將排膠燒結完成的成型樣品放入真空爐內進(jìn)行高溫燒結，隨爐冷卻后即得鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料。本發(fā)明的一種鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法在ZrO2中摻雜Y2O3，可以在晶格中產(chǎn)生帶正電的氧離子空位，從而提高ZrO2的導電性，ZrO2材料中晶界相主要是由原料中SiO2等雜質(zhì)在燒結過(guò)程中向晶界偏析而形成的，Ti元素的摻雜，可使Ti元素富集在ZrO2晶界位置，在常溫下晶界提供可自由移動(dòng)的電子，使得導電性能大幅提高。