本發明公開了一種低介電常數α?Si3N4多孔陶瓷的制備方法,按照如下步驟進行:a、以稻殼為原料,制備得到碳硅質前驅體,再添加α?Si3N4粉體、燒結助劑,組成陶瓷原料;b、將凝膠物質和分散劑分散在去離子水中,與上述陶瓷原料混合,球磨4?8h后取出,真空除泡10?30min,形成漿料;然后水浴加熱至40?80℃,使漿料中的凝膠物質完全溶解,其中漿料的固相含量為35?60%;c、將上述料漿注入預熱的模具中,進行注凝成型,脫模干燥,得到坯體;最后燒結自然冷卻至室溫,即獲得低介電常數α?Si3N4多孔陶瓷。
聲明:
“低介電常數α?Si3N4多孔陶瓷的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)