本發明的名稱為母排聯接式高性能IGBT模塊及其制作方法。屬于功率半導體器件和電力電子技術領域。它主要是解決現有鋁絲鍵合存在芯片和聯接線間的接觸面積小、IGBT器件的浪涌電流能力和過載能力不夠高、器件工作可靠性不夠高的問題。它的主要特征是:包括外殼、底板、電極和封裝在外殼內的半導體芯片、DBC、電極、母排、鉬片、焊料等。所述的芯片、DBC、電極相互間是通過母排聯接的。母排聯接方法是將各部件依次組裝在專用的制具中,并緊固,在真空爐中焊接而成。本發明能顯著提高IGBT器件的頻率特性,改善器件的開關性能,對高頻、大功率、高可靠性半導體器件非常適用。相比傳統技術,可節省投資,縮短生產加工周期。
聲明:
“母排聯接式高性能IGBT模塊及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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