本發明公開了半導體材料硫化方法。本發明提供的方法包括以下步驟:將硫源與半導體材料置于不完全密封的容器,將所述不完全密封的容器置于反應器中加熱進行硫化反應,得到硫化的半導體材料。本發明提供的半導體材料硫化方法可使半導體的晶粒尺寸變大,從而更好地晶化。對于作為太陽能電池吸收層材料的半導體,還可以使其衍射峰變強,并使其吸收更多的光。采用本發明提供的硫化方法對非晶硅太陽能吸收層材料進行硫化,可以使其帶隙更加接近于硅材料的帶隙。本發明提供的方法可以對被處理的半導體起到退火作用,特別適用于銅鋅錫硫薄膜的硫化退火,且該方法中使用的裝置簡單,易于進行大規模生產。
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