本發明涉及Cf?SiC復合材料制備技術領域,且公開了一種軌道交通剎車盤用Cf?SiC復合材料的制備方法,包括以下步驟:步驟一:將40~60份碳化硅(SiC)陶瓷粉和硅烷偶聯劑一起進行一次球磨處理,得到一次球磨產物;步驟二:將一次球磨產物和40~60份碳纖維粉(Cf)一起進行二次球磨處理,得到二次球磨產物;步驟三:將二次球磨產物經過熱壓高溫燒結處理,制備得到輕質、高致密度、低孔隙率、摩擦性能優異的Cf?SiC復合材料。本發明解決了目前用于制備Cf?SiC復合材料的化學氣相滲透法(CVI),存在的制備出的Cf?SiC復合材料的致密度較低(一般都存在10~15%的孔隙率)的技術問題的技術問題。
聲明:
“軌道交通剎車盤用Cf-SiC復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)