本發明涉及發光LED技術領域,尤其涉及一種氧化鋅基白光LED及其制備方法。所述方法為:以高純氧氣作為生長氣體,在具有藍色電致發光特性的p-GaN襯底上生長n-ZnO層,形成p-GaN/n-ZnO異質結;并在制備所述異質結的過程中,通過控制高純氧氣壓強及生長溫度的方式,使異質結的界面形成Ga、Zn、O互混的界面層,并使該界面層獲得黃色電致發光特性,從而使該界面層與p-GaN襯底發出的光可混合為白光;分別在p-GaN襯底及n-ZnO層上制備電極,完成氧化鋅基白光LED的制備。與現有技術相比,本發明在生長過程中一次性完成發光LED的制備,有效簡化了發光LED制備工藝,對生長材料要求不高,是制備ZnO基異質結白光LED的可行方法,符合半導體照明光源技術的發展方向。
聲明:
“氧化鋅基白光LED及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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