本發明涉及碳化硅陶瓷技術領域,本發明提供了一種碳化硅陶瓷及其制備方法。該碳化硅陶瓷制備方法包括準備原料、生坯制備、反應燒結和二次燒結除硅步驟,本發明通過先進行反應燒結,提高了坯體中碳化硅的含量;然后通過將坯體埋入碳粉中進行二次燒結除硅,碳化硅中的硅蒸發,遷移到碳化硅外部碳中,從而使得碳化硅中的自由硅得以消除,最終獲得高純、一定氣孔率的碳化硅陶瓷,此種工藝相比傳統重結晶碳化硅制備工藝燒結溫度要低很多,而且所制備出的碳化硅陶瓷孔隙率低,強度高,耐高溫性能更好。
聲明:
“碳化硅陶瓷及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)