本發明公開了一種片狀硅粒子整流二極管的生產方法,包括下述步驟:步驟一:選取N-型111面芯片進行擴散工序制得PN結芯片;步驟二:把所述PN結芯片制作成為片狀GPP芯片;步驟三:把所述片狀GPP芯片封裝制造成片狀硅粒子整流二極管。本發明所述片狀硅粒子整流二極管的生產方法不會產生尖端電場區域,從而不會產生尖峰電場使得芯片被擊穿,從而對芯片起到了一定的保護作用,并提高了芯片的有效載流面積和耐受電流強度。
聲明:
“片狀硅粒子整流二極管的生產方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)