本發明公開了一種中高性能釹鐵硼及制備方法,通過主輔相雙合金工藝,主相合金為低稀土總量的鈰鐵硼,輔相為高稀土總量的釹鐵硼合金,避免主相輕稀土進入晶界,而輔相中富余的稀土進入晶界重構成富稀土相。將制備的磁體加工成薄磁片,磁控濺射HReM低熔點合金,實現了低溫晶界擴散,該合金提高了晶界浸潤性,也提高了富稀土相的流動性,使含鈰釹鐵硼主、輔相晶粒,在晶界擴散時被快速隔離,低溫擴散避免了擴散入的重稀土被鐠釹鈰元素置換,抑制了鈰鐵硼晶粒間交換耦合,使重稀土游離于晶界,或與富稀土相作用在主相晶粒表層形成核殼結構,使富稀土相連續均勻分布,有效提升了晶界擴散重稀土元素對提高含鈰磁體內稟矯頑力的效能。
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