本發明公開了一種制備高性能純結晶碳化硅納米平板陶瓷膜的方法,首先選用高純6H?SiC粉料作為基料,對支撐層、過渡層和上膜層材料進行介質氣流整形,采用活塞式擠出機擠出支撐層坯體并用履帶式真空微波干燥機進行固化;將過渡層的泥料擠到固化的支撐層上并放入履帶式真空微波干燥機中固化,然后高溫燒結;最后將上膜層泥料通過等離子方法噴涂到過渡層上即可。本發明制備方法可連續生產,節能環保效果明顯,工作環境好,能很好的控制陶瓷膜的孔徑尺寸、通量滲透量和粒子去除率,燒結后沒有添加劑殘留;成品陶瓷膜可在高溫、高鹽、強腐蝕工況條件下充分發揮碳化硅自身的理化性能優勢,分離精度高,再生能力強,使用壽命強,能實現重復使用。
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