本發明涉及一種焊料片和用該焊料片焊接的功率器件芯片封裝方法,屬于微電子器件封裝技術領域。該焊料片包括銦和銀,其中銦材料重量百分比為20~40%,金屬銀的重量百分比為60%~80%,所述焊料片為銦?銀?銦三層復合結構。所述芯片封裝方法以Ag?In作為反應系,芯片低溫焊接原理為連接過程中低熔點金屬銦形成液相與固態的高熔點金屬銀相互擴散或反應,發生等溫凝固形成高熔點金屬間化合物,實現耐高溫連接。在Ag?In體系中靠近In一側金屬間化合物為AgIn2,隨著工藝焊接時間的延長,Ag?In內部互擴散反應加劇,In4Ag9和Ag3In金屬間化合物逐漸增多,并占據多數,金屬間化合物In4Ag9和Ag3In能耐受660℃的高溫,從而實現大功率器件高溫服役。
聲明:
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