本發明公開了一種中子和γ射線綜合屏蔽填料及其制備方法,屬于屏蔽材料領域,目的在于解決現有的中子和γ射線綜合屏蔽材料,無法從根本上解決屏蔽組元間的密度差異問題,影響材料綜合屏蔽性能的提高,尤其是材料的γ射線屏蔽性能較差的問題。該填料由W和B組成,W和B的原子計量比為2︰1,其物相組成為W2B。本發明提供一種新的制備方法,通過對反應條件的控制,使得所制備屏蔽填料的密度均一性好,能夠顯著提升屏蔽填料的屏蔽性能,具有重要的進步意義。
聲明:
“中子和γ射線綜合屏蔽填料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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