本發明提供了一種超薄Ta-W合金箔材的制備方法;屬于Ta-W合金加工技術領域。本發明包括粉末冶金法制備合金坯錠、冷軋開坯、冷軋/真空退火的循環操作以及3~5μm箔材的退火等步驟;所制備的箔材厚度可達到3~5μm,本發明工藝簡單,制備的箔材精度高,與純Ta箔材以及其他Ta-W合金箔材相比具有強度高、表面質量好等優點。本發明所制備厚度為3~5μm的Ta-(5.0~7.5wt%)W合金箔材適用于電子電工、航空航天等工業上大功率微波管和行波管等真空器件。本發明在實現大功率高性能微波管國產化、提高微波管使用性能和使用壽命等方面具有重要意義。
聲明:
“超薄Ta-W合金箔材的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)