本發明涉及半導體和太陽能硅材料技術領域,具體地說是一種低溫低成本高純碳化硅超細微粒的制備方法,選取切割廢料,通過抽真空,通入氬氣,保壓升溫,通入混合氣體,第二次保壓升溫,預處理,第三次保壓升溫,保溫抽真空,保壓降溫的手段,制備碳化硅粉體。本發明同現有技術相比,采用傳統工藝燒結制備高純碳化硅時,需要收集后進行二次煅燒和提純,尺寸不均勻、一致性較差,且成本較高。本發明為一步法實現全碳化的制備工藝,無需燒結后的分選、提純和二次回燒處理。本發明不需要除水過程,還可借助水合硅微?;蚝毟呒児栉⒘5氖杷山Y構優勢,實現低溫碳化工藝處理,大幅提高現有技術制備碳化硅微粒的效率和質量。
聲明:
“低溫低成本高純碳化硅超細微粒的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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