本發明公開了屬于合金靶材制備技術領域的一種用于大電流密度M型陰極敷膜的合金靶材制備方法。在對原料粉末提純的基礎上,利用等離子體球化技術制備OsRe、OsRu、OsIr、OsRh、OsW、WRe等預合金粉末,有助于獲得高純和高均勻的靶材。合金均勻性提高有助于陰極發射穩定性改善。采用真空燒結制備結構穩定的中間合金粉末,有效抑制合金燒結時鋁的揮發,可穩定合金成分并提高靶材均勻性。采用多段氫氣燒結工藝,獲得高致密度的鋨合金靶材。本發明研制的鋨合金系列靶材具有高純、高致密、高均勻的特點,同時可通過調整組元及其含量,滿足M型陰極大電流發射的要求。
聲明:
“用于大電流密度M型陰極敷膜的合金靶材制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)