本發明公開高抗腐蝕性Re-(Fe,TM)-B磁體制備方法:1)將Re-(Fe,TM)-B體系磁體材料熔煉后進行粗破碎,進行中碎,得到平均粒徑0.5mm的粉末材料,其中Re選自Pr-Nd、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho或其混合,TM選自Al、Nb、Cu、Ga、Co、Zr或其混合;2)將步驟1所得粉末材料經氣流磨一步研磨至粉末材料平均粒徑小5μm;3)將步驟2所得粉末材料經磁場成型、真空燒結、時效處理后,得到所需產品;其中步驟1和步驟2所得粉末材料,在進行下一步處理前進行混料處理使粉末材料混合均勻;其中在進行中碎、氣流磨研磨、及混料處理中一個或多個操作時向粉末材料中添加平均粒度小于80μm的金屬或金屬氧化物。
聲明:
“高抗腐蝕性Re-(Fe, TM)-B磁體及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)