本發明屬于超高溫陶瓷的制備技術領域,具體涉及一種層狀碳化硅/碳化鋯超高溫陶瓷的制備方法。本發明采用流延法制備出碳化硅流延片和碳化鋯流延片,然后將其交替層疊,之后進行排膠、真空燒結。本發明通過對聚甲基丙烯酸酯、聚乙二醇、乙醇及正辛醇的用量進行限定,制備得到的流延片表面光滑且無氣泡產生;對排膠、燒結溫度及升溫速度、燒結壓力進行調控限定,制備得到的層狀超高溫陶瓷界面清晰,強度適中,陶瓷的致密性好,能改變裂紋傳播路徑從而增強斷裂韌性。
聲明:
“層狀碳化硅/碳化鋯超高溫陶瓷的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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