本發明涉及一種氮化鋁覆銅陶瓷基板及其制備方法,所述的方法包括如下步驟:(1)配置電子漿料;(2)通過印板將電路圖形用電子漿料印制在氮化鋁陶瓷基片上;(3)在銅片上加工第二電路圖形獲得導電層;(4)真空燒結過程;本發明生產導銅厚度大于0.12mm的氮化鋁覆銅陶瓷基板,具有成本低、導電性能好、導熱快等優點,特別適合于大功率電子零部件。
聲明:
“氮化鋁陶瓷覆銅基板及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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