本發明屬于光電材料新能源技術領域,特別涉及一種制備銅銦硒濺射靶材的工藝。通過制備或市場購買Cu2Se粉末和In2Se3粉末,混合后在行星式球磨機中球磨,而后冷壓成型,制得Cu2Se和In2Se3混合材料素坯,將此素坯置于密閉的真空燒結爐中,在H2保護氣氛中,燒結,冷卻后脫模,即得到銅銦硒靶材。所制得的靶材具有均一的銅銦硒相,相對密度達到95%以上。本發明具有工藝簡便,效率高,成本低,穩定性好等優點,為制備銅銦硒吸收層薄膜的制備工藝提供了便捷和穩定的保證。
聲明:
“制備銅銦硒濺射靶材的工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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