本發明涉及一種高可靠性高壓功率半導體模塊芯片的制造工藝,整個制造工藝流程包括:磷擴散、硼擴散、蒸鍍鈦鎳銀合金、線切割、磨角、真空燒結、酸腐蝕、雙層膠體聯合保護、室溫硫化、高溫固化、檢測包裝。其中雙層膠體聯合保護如圖所示,是先將聚酰亞胺(PI)膠(圖中41)均勻涂敷于芯片臺面,形成致密保護層,再使用自主研發的自動涂膠工裝夾具,批量涂敷深藍色硅橡膠(圖中42)。本發明結合了GPP方片和OJ圓片兩種工藝的優點,對現有功率半導體模塊芯片的制造工藝進行改進,有效阻止電子遷移,減小芯片高常溫漏電流,致密結構極有利于后續的模塊封裝和儲存,有效提高產品的可靠性和良品率。
聲明:
“高可靠性高壓功率半導體模塊芯片的制造工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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