本發明提供了一種磷摻雜多晶硅薄膜及其制備方法,屬于功能材料領域。通過將多晶硅粉末與磷粉末按比例混合均勻,壓片、真空燒結制得硅靶材,將硅靶材和石英玻璃基片放入真空系統中,采用激光濺射沉積的方法制備出磷摻雜多晶硅薄膜。本發明獲得的磷摻雜多晶硅薄膜,其橫向應變系數絕對值的最大值可達24.3;橫向應變系數的非線性在1-2.5%之間,比現有的多晶硅薄膜降低了0.5%;采用本發明方法可以使多晶硅薄膜摻雜均勻、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范圍為0.1μm~0.5μm;本發明制備方法簡單、成本低、可控性強,為多晶硅薄膜領域拓展了新思路。
聲明:
“磷摻雜多晶硅薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)