本發明屬于一種光電薄膜制備技術領域,具體涉及一種采用電子束蒸發技術制備Ga2O3光電薄膜的方法。本發明提供的技術方案是:通過Ga2O3高純(99.995%)粉體制胚并真空燒結,再粉碎成粒后作為起鍍材料,采用e型槍對起鍍材料進行直接真空蒸發,使起鍍材料氣化成分子或原子沉積在襯底材料上,并通過控制沉積速率和沉積氛等關鍵工藝參數,最終獲得大面積高純度的Ga2O3薄膜。本發明方法制備成本低、重復性好、工藝要求簡單、可控性好,所獲得的薄膜呈現各向同性的非晶結構,在可見?近紅外范圍透過較高,吸收較小,不僅適宜于光學應用,并且通過后退火處理,使其晶化后具有紫外光電探測和氣敏等特性。
聲明:
“采用電子束蒸發技術制備Ga2O3光電薄膜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)