一種制備高比表面積SiC納米微球的方法,將碳微球與二氧化硅微球混合均勻,得到混合粉末;其中碳微球粒徑為200~400nm,與二氧化硅微球的粒徑為100~200nm;將混合粉末放入真空燒結爐中,將真空燒結爐抽真空后通入氬氣,并在氬氣保護下自室溫升溫至1200℃時將真空燒結爐抽真空,然后繼續升溫至1300℃~1500℃,在1300℃~1500℃下燒結,得到產物;將產物在400-600℃下煅燒,得到高比表面積SiC納米微球。本發明操作簡單,成本低廉,可重復性好,有利于工業化生產。本發明所制得的SiC納米微球的粒度均勻,純度高,直徑在200~500nm范圍內可控,比表面積可以達到25~60m2/g。
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