本申請涉及化學氣相沉積領域,具體而言,涉及一種立式雙溫區?雙通道化學氣相沉積設備,包括:沉積爐,沉積爐內包括介質容置區,介質容置區將沉積爐的內部腔室劃分為上加熱區和下加熱區;介質容置區用于容置多孔介質,多孔介質用于沉積制備復合材料;第一加熱體,用于對上加熱區進行加熱,以對多孔介質面向上加熱區的一端進行加熱;第二加熱體,用于對下加熱區進行加熱,以對多孔介質面向下加熱區的一端進行加熱;其中,在沉積階段時,第一加熱體的功率不同于第二加熱體的功率,以使多孔介質的上下兩端的溫度不同形成溫差,從而本申請提供的化學氣相沉積設備可以對多孔介質上下兩端分別進行致密化,從而實現整個多孔介質的均勻致密。
聲明:
“立式雙溫區-雙通道化學氣相沉積設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)