本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設備,設備由爐蓋及真空爐壁構成真空設備,真空設備的內腔即為真空室,真空室底部安裝有拉錠機構,拉錠機構上安裝熔煉坩堝,熔煉坩堝外安裝有加熱裝置,真空室頂部外壁上安裝有升降電動裝置,升降電動裝置驅動連接升降拉桿上端,升降拉桿下端穿過真空爐壁連接到真空室內的懸掛夾緊裝置之上,懸掛夾緊裝置位于熔煉坩堝上方。本實用新型設備結構緊湊,構思獨特,綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術去除多晶硅中的雜質磷和金屬。提高了生產效率,去除效果良好,集成了除磷和除金屬的雙重效果,適合大規模工業化生產。
聲明:
“淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)