本發明屬于冶金提純技術領域,特別涉及一種反向誘導提純多晶硅的方法,另外還涉及其設備。該方法采用感應線圈將硅料加熱熔化形成硅熔體,調小感應線圈的功率,水冷旋轉桿向下拉錠,使硅熔體由底部向頂部凝固,凝固到80%~90%時,開啟落粉裝置,使高純硅粉散落到上層硅熔體中,高純硅粉作為形核劑使上層硅熔體迅速反向凝固,待凝固完成后切去上層反向凝固得到的部分,得到的下層鑄錠即為高純硅鑄錠。本發明的顯著效果是在凝固尾聲階段,利用落料裝置將硅粉均勻散落到硅熔體表面,硅粉作為形核劑使雜質含量較高的上層硅熔體迅速凝固,有效抑制了上層硅熔體中含量較高的雜質在保溫過程中向已凝固的低濃度區域擴散,起到了反向誘導凝固提純多晶硅的目的。
聲明:
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