本發明公開了一種半固態振蕩熱壓燒結高硅鋁合金電子封裝材料的制備方法,該方法以霧化沉積?快速凝固法制備得到的高硅鋁合金粉末為原料;將原料裝入鋁包套后進行預處理得到高硅鋁合金預制體;對得到的高硅鋁合金預制體在惰性氣體氣氛中進行半固態振蕩熱壓燒結處理,制備得到高硅鋁合金初產品;對得到的高硅鋁合金初產品經固溶和時效處理得到高硅鋁合金電子封裝材料;所述半固態振蕩熱壓燒結處理的溫度為630~680℃,振蕩壓力為35±5MPa。避免了完全液相狀態下粗大的初生硅的析出。與傳統的粉末冶金法制備的高硅鋁合金電子封裝材料相比,硅相的擴散與偏析可控,可有效提高致密化速率。
聲明:
“高硅鋁合金電子封裝材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)