本發明涉及半導體技術,具體的說是設計一種MOS柵控晶閘管。本發明對P+陰極接觸區10進行改進,增大了P+陰極接觸區10的寬度,改變了冶金結形貌,減小了自陰極金屬11流入的電子的運輸通道。器件正向工作特性受到P+陰極接觸區10、N阱9組成的JFET的控制,在相對較小的陽極電壓下可發生溝道夾斷效應,能控制器件飽和電流的大小。P+陰極區接觸區10的結深和寬度可根據器件設計要求進行優化取值。本發明尤其適用于MOS柵控晶閘管。
聲明:
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