本發明屬于覆晶封裝技術領域,尤其涉及一種電鑄成型于半導體晶片的引腳的電鑄晶圓凸塊,包括IC腳墊和電鑄成型于IC腳墊上的錫鉛凸塊;所述的錫鉛凸塊為多個,厚度為0.02~0.2mm,錫鉛凸塊為100~200個,凸塊間距為100~200μm;錫鉛凸塊由外而內分為錫鉛球本體和球下冶金層;錫鉛球本體為倒置的球形,材料為錫鉛合金,錫鉛球本體的高度為50~80μm。本發明具有的有益效果為:晶圓凸塊采用錫鉛合金材料,制造成本較低;采用電鑄的方法生成晶圓凸塊,生產效率高,凸塊間距較穩定地控制于150μm以下,精度高,能獲得質量穩定的電鑄晶圓凸塊。
聲明:
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