本發明提供了低溫納米錫漿料的制備方法及封裝方法,制備方法包括S1制備高活性的納米錫溶膠;S3制備納米錫漿料;封裝方法包括S1在芯片和基板上對稱制備圖形化的焊盤或過渡金屬化層;S2將制備得到的納米錫漿料附著在焊盤和過渡金屬化層表面,對準堆疊形成封裝結構;S3對S2中所述封裝結構施加壓力并進行低溫加熱,促使納米錫漿料燒結實現冶金互連。本發明在低溫條件下使用低熔點、低成本、高表面活性的納米錫漿料進行燒結,完成與基板和芯片之間互連,無需添加貴金屬鍍層增加潤濕和結合強度,簡化生產工藝,降低封裝結構的復雜性和成本,且燒結后接頭具有較好導熱率和導電性能,適合應用于電子封裝領域中低溫及熱敏感器件的封裝互連。
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“低溫納米錫漿料的制備方法及封裝方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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